专利摘要:
ナノ粒子を製造するための装置(10)および方法(200)。本装置および方法は、独立した温度でのナノ粒子の核生成と成長とを可能にする。独立した温度であることにより、制御された環境下にてナノ粒子を成長させることが可能になる。その結果、自発的な核生成が回避され、粒径の制御が可能となり、実質的に均一なサイズの粒子の製造が容易化される。さらに、装置(10)は、コア−シェルナノ粒子およびコア−シェル−シェルナノ粒子の製造を可能にする。
公开号:JP2011514242A
申请号:JP2010545502
申请日:2009-02-11
公开日:2011-05-06
发明作者:ヴェラー・ホースト;ニーハウス・ジャン
申请人:ツェントラム・フューア・アンゲヴァンテ・ナノテヒノロギー(ツェーアーエン)ゲーエムベーハー;
IPC主号:B01J19-00
专利说明:

[0001] 関連出願への相互参照
本出願は、2008年2月11日付で出願された英国特許出願第0803378.9号に基づく優先権を主張する。]
[0002] 発明の分野
本出願は、ナノ粒子を製造するための装置および方法に関する。]
背景技術

[0003] 先行技術
装置を用いたナノ粒子の製造は、文献において公知である。]
[0004] 米国特許第7,144,458号は、「量子ドットナノ結晶のフロー合成(Flow Synthesis of Quantum Dot Nanocrystals)」という名称であり、インビトロゲンコーポレーション(Invitrogen Corporation)に譲渡されている。‘458号特許は、ナノ結晶材料および当該ナノ結晶材料の製造方法を教示している。‘458号特許の開示は、フロースルー反応器を用いて反応条件、ひいては生成物の品質を高度に制御しながら合成されるナノ結晶に関する。フロースルー反応器中の反応条件は、生成物の特徴的な性質をオンライン検出し、反応条件を調節することにより、維持される。ナノ結晶の被覆は、同様にして達成される。また、この発明は、ナノ結晶コアにコーティングを施すための、単分散の発光半導体ナノ結晶の製造方法および製造装置にある。]
[0005] 米国特許出願公開第2005/0129580号は、「化学的に生成されるナノ粒子を製造するためのマイクロ流体化学反応器(Microfluidic Chemical Reactor for the Manufacture of Chemically Produced Nanoparticles)」という名称であり、スワインハート(Swinehart)らによる。このスワインハートらの文献は、連続フロープロセスにおいてナノ結晶材料を製造するためのマイクロ流体モジュールを開示している。マイクロ流体モジュールは、混合構造を有する1つまたは複数の流路と、1つまたは複数の制御された熱交換器とを含み、ナノ結晶材料と試薬とを流路内で処理する。マイクロ流体モジュールを相互接続することで、核生成、成長および精製などの1つまたは複数の処理機能を組み込んだマイクロ流体反応器を形成することができる。]
[0006] 米国特許第6,179,912号は、「半導体ナノ結晶の製造のための連続フロープロセス(Continuous Flow Process for the Production of Semiconductor Nanocrystals)」という名称であり、米国のバイオクリスタルリミテッド(BioCrystal Ltd)に譲渡されている。このバイオクリスタル社の文献は、単分散の半導体ナノ粒子を製造するためのシステムおよび連続フロープロセスを開示している。このシステムは、出発材料用の貯槽と、出発材料が混合される混合路と、出発材料の混合物が配位性溶媒と混合されるとともにナノ粒子の核生成が起こる第1の反応器とを含む。このシステムは、制御された成長が起こる第2の反応器と、ナノ結晶の成長が停止される成長終了路とを含む。]
[0007] 学会誌ケミカルコミュニケーションズ(Chem. Comm.)2002年、2844〜2845に掲載の論文は、「マイクロフローリアクタ中でのCdSeナノ結晶の合成(Preparation ofCdSe nanocrystals in a Micro-Flow Reactor)」という標題であり、マクムラ(Makumura)、山口(Yamaguchi)らによる。このケミカルコミュニケーションズ文献は、CdSeナノ結晶の連続的かつ制御された製造のためのマイクロリアクタの使用を開示している。ケミカルコミュニケーションズ文献は、製造されたナノ結晶の光学的性質に反応条件が及ぼす影響を開示している。ケミカルコミュニケーションズ文献は、リアクタ中で、迅速かつ正確にマイクロリアクタの温度制御を行うことが、ナノ粒子の粒度制御および再現可能な製造に有利であることを開示している。]
[0008] 国際公開第2006/116337号は、「ドープされた半導体ナノ結晶およびそれらの作製方法(Doped semiconductor nanocrystals and methodsfor making the same)」という名称である。‘337文献は、米国アーカンソー大学理事会によって所有されている。‘337文献は、ドープされた半導体ナノ結晶を合成する方法を開示している。この方法は、金属酸化物または金属塩前駆体と、配位子と、溶媒とを組み合わせて反応容器中で金属錯体を形成する工程と、アニオン性前駆体と該金属錯体とを複数のホストナノ結晶を形成するのに十分な第1の温度T1で混合する工程とを含む。金属ドーパントを該複数のホストナノ結晶上に第2の温度T2でドープし、該金属ドーパントの層が金属ドーパントを受け取るホストナノ結晶の表面を実質的に覆って形成されるようにする。該アニオン性前駆体と該金属酸化物または金属塩前駆体とを有する混合物を、第3の温度T3で反応容器中に加え、金属ドーパントを受け取るホストナノ結晶の表面を実質的に覆って形成された該金属ドーパントの層の表面上にホストナノ結晶を再成長させ、半導体の特性を示す複数のドープされたナノ結晶を形成する。]
[0009] 英国特許出願公開第2429838号は、「ナノ粒子(Nanoparticles)」という名称であり、英国のナノコテクノロジーズリミテッド(Nanoco Technologies Limited,)によって所有されている。このナノコ社の文献は、コア、第1シェル半導体材料および第2シェル半導体材料からなるナノ粒子の製造方法を開示している。コア、第1シェル半導体材料および第2シェル材料のうち少なくとも1つが、周期表の12および15、14および16、または11、13および16族からのイオンを含む。]
[0010] 中国特許出願公開第1912048号は、「InP量子ドットの調製方法(Preparation method of InP quantum dots)」という名称であり、華中科技大学によって所有されている。同大学文献の要約書の翻訳によると、InP量子ドットの製造方法であって、1)90〜110℃の温度を維持しながらInCl3をトリオクチルホスフィンオキシドと混合して濃度が0.1〜0.3mol/Lである溶液を調製する工程と、2)アルゴン雰囲気下にて温度を130〜180℃まで上昇させる工程と、3)P(Si(CH3)3)3を該溶液中に1:1〜1:2のモル比で注入する工程と、4)得られたオレンジ色の溶液の温度を260〜270℃まで上げる工程と、5)温度を90〜110℃まで下げ、ドデシルアミン、デシルアミンまたはメルカプタンを注入する工程と、6)反応混合物を非極性溶媒中に溶解させてコロイド状溶液を形成し、次いで極性溶媒を該コロイド状溶液が濁るまで加え、沈殿物を上澄みから遠心分離してInP量子ドットを得る工程とを含む方法を開示している。]
[0011] いずれの先行技術も、本発明の教示によって開示されるようなナノ粒子の製造装置および製造方法を開示していない。]
[0012] 発明の背景
ナノ材料は、ある特定の次元におけるそのサイズに応じて分類される。ナノ材料が三次元において100nm未満であれば、そのナノ材料は、ナノ粒子、量子ドットまたは中空球の形態であり得る。ナノ材料が二次元において100nm未満であれば、そのナノ材料は、ナノチューブ、ナノワイヤまたはナノファイバであり得る。ナノ材料が一次元において100nm未満であれば、そのナノ材料は、ナノフィルムまたはナノレイヤーの形態となる。ナノ粒子は、ナノパウダ、ナノクラスタまたはナノ結晶と呼ばれることもある。]
[0013] 近年、ナノ粒子の特有の性質により、ナノ粒子の研究に大きな関心が集まっている。ナノ粒子の物性は、対応するバルク材料のものとは根本的に異なる。ナノ粒子のこのような異なる物性は、高分子物質のサイズと原子物質のサイズとの間にあるナノ粒子の小さなサイズに起因する。ナノ粒子材料とバルク材料との物性における相違は、ナノ粒子の体積に対する表面積の増加およびそのサイズによるものであり、これらは、量子効果が支配する領域に入る。ナノ粒子が小さくなるにつれて徐々に進行する体積対表面積比の増加により、ナノ粒子表面上の原子の振る舞いがナノ粒子内部の原子の振る舞いに対して優勢になっていく。]
[0014] 量子効果現象は、ナノ粒子単独での性質だけでなく、他の材料と相互作用するナノ粒子の性質にも影響を及ぼす。したがって、ナノ粒子は、触媒作用、電極、半導体、光学素子および燃料電池の各分野のような、大きな表面積が必要とされる研究において強い関心を集めている。]
[0015] ナノ粒子の別の特徴は、ナノ粒子が、バルク材料とそれらのナノ粒子対応物とを区別する特有の性質を提供することである。このような特有の性質は、例えば、高強度、高耐薬品性および高耐熱性である。例えば、銅線の曲がりは、50nm規模での銅線の動きで生じ、銅ナノ粒子は、超硬質で、バルク材料と同じ可鍛性を示さない。さらなる例は、シリコンであり、完璧に形成された直径40〜100nmのシリコンナノスフェアは、バルクシリコンよりも硬質であるだけでなく、その硬度はサファイアの硬度とダイアモンドの硬度との間にあることが示されているため、シリコンナノスフェアは、知られている最も硬質な材料の1つとなっている。]
[0016] ナノ粒子の別の性質は、ナノ粒子が十分に小さくなると、そのナノ粒子は量子力学的振る舞いを示すことにある。このようなナノ粒子は、ナノ粒子内部の自由電子が、ナノ粒子がある許容されたエネルギー状態を占有し得る点で、原子に束縛された電子と同様に振る舞うことから、しばしば量子ドットまたは人工原子と呼ばれる。このため、半導体としての実現および使用のためのナノ粒子について多くの研究が行われている。]
[0017] ナノ粒子のさらなる特徴は、それらの臨界波長が可視光の臨界波長未満であることである。ナノ粒子は可視光を散乱させないが、可視光を吸収し得る。ナノ粒子のこのような吸収性により、ナノ粒子は、包装、化粧品およびコーティングなどの用途における材料として使われてきた。]
[0018] 現在のところ、ナノ粒子の製造方法がいくつか存在する。ナノ粒子の製造方法の例としては、蒸気凝縮、化学合成および摩耗が挙げられる。すべての製造方法には、製造パラメータがナノ粒子のサイズ決定にきわめて重要であるという共通要素がある。製造パラメータとは、例えば、温度、時間および反応相である。ナノ粒子の製造に際し、製造パラメータは、通常、所望のサイズのナノ粒子を提供するために操作される。]
[0019] 蒸気凝縮法によるナノ粒子の製造は、固体材料を蒸発させ、続いて該材料を急速に凝縮させてナノ粒子を形成することを含む。蒸気を形成させる媒体の変更は、製造されるナノ粒子のサイズに影響を及ぼす。固体材料の蒸発とナノ粒子の製造とは、通常、使用材料の酸化物の形成といった起こり得る副反応を防止するために、不活性雰囲気中で行われる。蒸気凝縮法では、ナノ粒子のサイズは、装置環境に依存し、蒸気凝縮プロセスが行われる温度、ガス雰囲気および材料の蒸発速度に影響される。蒸気凝縮法には多くのバリエーションがある。1つのバリエーションは、流動液体上真空蒸発(VERL)である。VERL法は、真空環境下にある回転ドラム内において粘性材料(油またはポリマーなど)の膜を利用する。次いで、所望の材料を真空中に蒸発させることにより、それらは該粘性材料の懸濁液中で所望のナノ粒子を形成する。蒸気凝縮法のさらなるバリエーションは、化学蒸着(CVD)と呼ばれる。CVD技術は、一般に、ナノ粒子が半導体として用いられる集積回路の製造のための大規模プロセスにおいて採用される。CVD法では、液体であっても気体であってもよい材料を蒸発反応器に投入し、その後凝縮させて所望のナノ粒子を形成する。]
[0020] ナノ粒子の製造のための化学合成法は、おそらく最も一般的である。化学合成法は、単分散性の高いナノ粒子の低コストかつ高容量な製造を可能にする。化学合成法は、材料反応物を含有する液体中でナノ粒子を成長させることを含む。化学合成法の一例として、量子ドットを製造するために用いられることが多いゾル−ゲル法がある。ナノ粒子の製造のための化学合成法は、特に、ある一定の形状のナノ粒子が望まれる場合には、蒸気凝縮法よりも優れていることが多い。ナノ粒子の製造のための化学合成法の問題は、ナノ粒子の汚染がしばしば観察されるために生じる。ナノ粒子の汚染は、前駆体物質に起因する。製造されたナノ粒子のこのような汚染は、ナノ粒子が焼結法において表面コーティングとして用いられる際に問題となる。焼結法を用いた表面コーティングを成功させるには、汚染されていない材料が必要である。]
[0021] ナノ粒子の製造のための摩耗法は、通常、蒸気凝縮または化学合成を用いる製造方法が不成功である場合か、または広い粒度分布の低品質のナノ粒子を大量に必要とする場合に行われる。摩耗法は、ナノ粒子にしようとする材料の粉砕あるいは摩砕を利用する。摩砕は、通常、ボールミルまたは遊星ボールミルなどの粉砕機構の中で行われる。ナノ粒子の製造のための化学合成法と同様に、摩耗法は、摩砕材料によるナノ粒子の汚染をもたらす。さらなる短所は、ナノ粒子の広い粒度分布と限られた粒度範囲であり、これは、摩耗法では直径50nmより小さいナノ粒子を製造できない場合がほとんどであるからである。]
[0022] ナノ粒子は、その特有の性質をもたらす特定のサイズに製造する必要があるため、それに応じて特性決定する必要がある。ナノ粒子の製造を理解し制御するには、ナノ粒子の特性決定が必須である。ナノ粒子の特性決定は、通常、電子顕微鏡法、原子間力顕微鏡法、X線光電子分光法、粉末X線回折法、動的光散乱および吸収、発光ならびにフーリエ変換赤外分光法などの一般的な分析技術によって行われる。]
[0023] ナノ粒子の市場がその非常に望ましい特有の性質により急速に拡大し続けるにつれて、高生産量、高純度かつ良好に規定された低コストのナノ粒子に対する要求も拡大している。したがって、この要求により、ナノ粒子の新規な製造方法および製造装置の開発が必要となっている。]
[0024] 本発明は、ナノ粒子を製造するための方法および装置を教示する。]
[0025] 本装置は、少なくとも1つの粒子合成モジュールに直列に接続された少なくとも1つの溶媒調製モジュールを含む。粒子合成モジュールは、3つの独立して加熱可能な室を含む。]
[0026] 3つの独立して加熱可能な室は、別個の予熱室と別個の核生成室と別個の成長室とを含む。3つの独立して加熱可能な室は、ナノ粒子の製造のための成長パラメータの操作を可能にし、製造されたナノ粒子が実質的に正確なサイズかつ均一なサイズであることを確実にする。]
[0027] 本発明のさらなる態様においては、粒子単離モジュールが、製造されたナノ粒子をフロー遠心分離機を用いて単離するために用いられる。]
図面の簡単な説明

[0028] 図1は、本発明によるナノ粒子の製造装置を示す。
図2は、本発明によるナノ粒子の製造方法を示す。
図3は、本発明の一態様による、製造されたナノ粒子を単離するための粒子単離モジュールを示す。] 図2 図3
実施例

[0029] 本発明およびその利点の完全な理解のために、図面と併せて以下の説明をここで参照する。]
[0030] 本明細書中に記載の本発明の態様は、特許請求の範囲および説明とともに考慮すれば、本発明を実施および使用するための具体的な様式の例示に過ぎず、したがって本発明の範囲を限定するものではないことが理解されるはずである。]
[0031] 図1は、本発明による、ナノ粒子を製造するための装置10を示す。図1によるこの装置10は、互いに直列に接続された3つのモジュール15、20および25が描かれている。これらの3つのモジュールは、少なくとも1つの溶媒調製モジュール15と、粒子合成モジュール20と、シェル構造モジュール25とを含む。]
[0032] シェルのないナノ粒子の製造のための、本発明の一態様において、本発明の一実施形態は2つのモジュールしか含まない。2つのモジュールとは、溶媒調製モジュール15および粒子合成モジュール20であり、本発明のこの態様にはシェル構造モジュール25はない。]
[0033] コアと少なくとも1つのシェルとを有するコア−シェルナノ粒子の製造のために、本発明のさらなる態様は、図1に示すような少なくとも3つのモジュールを必要とする。少なくとも3つのモジュールとは、少なくとも1つの溶媒調製モジュール15、少なくとも1つの粒子合成モジュール20、および少なくとも1つのシェル構造モジュール25である。]
[0034] コアと少なくとも2つのシェルとを有するコア−シェル−シェルナノ粒子の製造のために、本発明のさらなる態様においては、少なくとも4つのモジュールが必要である。4つのモジュールとは、少なくとも1つの溶媒調製モジュール15、少なくとも1つの粒子合成モジュール20、および少なくとも2つのシェル構造モジュール25である。]
[0035] なお、装置10のすべての構成要素は、ナノ粒子の製造中および製造後に使用される化学物質に対して不活性である。]
[0036] 溶媒調製モジュール15は、チューブ35aa、35abおよび35acによって、3つの前駆体源30a、30bおよび30cに接続されている。前駆体源30a〜cは、製造されるナノ粒子の前駆体を含む。]
[0037] 溶媒調製モジュール15は、少なくとも3つの溶媒オーガナイザユニット45a〜cと、少なくとも3つの脱気装置ユニット40a〜cとを含む。溶媒オーガナイザユニット45a〜cおよび脱気装置ユニット40a〜cのそれぞれは、チューブ35aa〜35acによって、3つの前駆体源30a〜cの1つずつに別々に接続されている。脱気装置ユニット40a〜cおよび溶媒オーガナイザユニット45a〜cの目的は、ナノ粒子の製造に使用される溶媒に大気気体が溶解していないことを確実にすることと、粒子前駆体がナノ粒子の製造を達成するのに十分な速度で装置10内に送られることを確実にすることである。脱気装置ユニット40a〜cおよび溶媒オーガナイザユニット45a〜cのそれぞれは、チューブ35ba、35bbおよび35bcによって、3つのポンプ50a、50bおよび50cのうちの少なくとも1つに接続されている。]
[0038] 本発明においては、粒子前駆体の溶液が予め調製され、前駆体源30a〜c内に置かれる。粒子前駆体は、ナノ粒子のコアの前駆体とナノ粒子のシェルの前駆体とを含む(コア−シェルナノ粒子またはコア−シェル−シェルナノ粒子の場合)。]
[0039] 調製された粒子前駆体の溶液は、溶媒調製モジュール15へ送液され、その後、装置10がコア−シェルナノ粒子でないナノ粒子の製造に用いられる態様においては、チューブ35cbおよびチューブ35ccを介して粒子合成モジュール20へ向けて送液される。]
[0040] 粒子合成モジュール20は、少なくとも2つの予熱室55PSMaおよび55PSMbを含む。少なくとも2つの予熱室55PSMaおよび55PSMbは、それぞれチューブ35cbおよび35ccにより、溶媒調製モジュール15に接続されている。第1の予熱室55PSMaと第2の予熱室55PSMbとにより、別個の複数の粒子前駆体の溶液が、独立して、かつほとんど同時に、可変の独立した温度で予熱される。2つの独立した予熱室55PSMaおよび55PSMbは、独立かつ可変の加熱を可能にするので、個々の粒子前駆体の安定性が損なわれないことを確実にする。例えば、NiPt粒子前駆体は、熱力学的に不安定であり高温で変質することから、高温まで加熱することができない。しかしながら、概して、粒子前駆体は、第1の予熱室55PSMaおよび/または第2の予熱室55PSMbにおいて、製造される所望のナノ粒子の核生成温度まで予熱することができる。別個の予熱された粒子前駆体の溶液は、次いで、チューブ35daおよび35dbを介して第1の核生成室60PSMへ別々に送液され、そこで、予熱された2つの溶液は混合され、溶液中でナノ粒子の核生成が起こりナノ粒子含有溶液を形成する。]
[0041] 第1の核生成室60PSMの温度は、少なくとも2つの予熱室55PSMaおよび55PSMbの温度とほぼ同一である。ナノ粒子含有溶液は、次いで、チューブ35eを介して第1の成長室65PSMへ送液される。第1の成長室65PSMにおいて、ナノ粒子含有溶液は、核生成温度未満の温度下に置かれる。第1の核生成室60PSMの温度と対照的に第1の成長室65PSMの温度がより低いことは、第1の成長室65PSM内での自発的な核生成を排除する。]
[0042] 粒子合成モジュール20は、チューブ35fによって第1の成長室65PSMに接続された第1の分析装置70PSMを含む。製造されたナノ粒子は、第1の分析装置70PSMにて、吸収および/または発光分光法、光散乱、X線回折ならびにNMRなどの多数の分析技術を利用することによって分析される。]
[0043] 本発明の一態様において、第1の分析装置70PSMは、少なくとも2つの出口点75PSMおよび80PSMに、それぞれチューブ35gaおよび35gbによって接続されている。少なくとも2つの出口点とは、少なくとも1つの分析出口80PSMおよび少なくとも1つの粒子収集器75PSMである。分析出口80PSMにより、製造されたナノ粒子を収集し、ナノ粒子の製造のための最適なパラメータを決定するための補助として、製造されたナノ粒子を分析することができる。少なくとも1つの粒子収集器75PSMにより、製造されたナノ粒子が分析装置70PSMにて首尾よく特性決定された後に、製造されたナノ粒子の収集を行うことが容易となる。]
[0044] 本発明のさらなる態様においては、装置10は、シェル構造モジュール25をさらに含む。シェル構造モジュール25の実装は、コア−シェルナノ粒子の製造のために用いられる。さらに、コア−シェル−シェルナノ粒子の製造のために少なくとも1つのさらなるシェル構造モジュール25(図示せず)があってもよい。コア−シェルナノ粒子とは、コアと同心のシェルとを有するナノ粒子であり、コア−シェル−シェルナノ粒子とは、コアと2つの同心のシェルとを有するナノ粒子である。]
[0045] シェル構造モジュール25は、粒子合成モジュール20と溶媒調製モジュール15とに接続されている。第1の接続は、チューブ35caによって溶媒調製モジュール15からシェル構造モジュール25の少なくとも1つの予熱室55SSMまで接続するものである。シェル構造モジュール25への第2の接続には、粒子合成モジュール20の粒子収集器75PSMをシェル構造モジュール25の核生成室60SSMに接続するチューブ35hが用いられている。]
[0046] シェル構造モジュール25の予熱室55SSMは、チューブ35iによって核生成室60SSMに接続されている。核生成室60SSMは、チューブ35jによって成長室65SSMにさらに接続されている。]
[0047] シェル構造モジュール25は、溶媒調製モジュール15からの粒子前駆体の溶液が独立して加熱されることを確実にする少なくとも1つの予熱室55SSMを含む。粒子前駆体の溶液がコア−シェルナノ粒子の合成においてシェルとして用いられる場合、該溶液は、製造される所望のコア−シェルナノ粒子の反応温度まで予熱される。シェル構造モジュール25は、シェル核生成室60SSMをさらに含む。シェル核生成室60SSMの温度は、製造されるコア−シェルナノ粒子のシェル反応温度に予め設定される。反応温度は、核生成温度とは区別される。そうでなければ、シェル材料が核を形成し、シェル構造が形成されるのではなく別個の粒子が形成されるからである。シェル構造モジュール25のシェル核生成室60SSMは、シェル核生成室60SSMの温度と実質的に同様の温度に設定された、独立した温度制御を有する成長室65SSMにさらに接続されている。シェル成長室65SSMとシェル核生成室60SSMとが同様の温度であることは、コア粒子の自発的な形成が回避されることを確実にし、それゆえシェル成長を促進する。]
[0048] シェル構造モジュール25の成長室65SSMは、チューブ35kによって分析装置70SSMに接続されている。製造されたコアシェル−ナノ粒子は、分析装置70SSMにて、吸収および/または発光分光法、光散乱、X線回折ならびにNMRによって分析される。]
[0049] 装置がコア−シェルナノ粒子の製造に使用される本発明の一態様において、分析装置70SSMは、少なくとも2つの出口点75SSMおよび80SSMに、それぞれチューブ35laおよび35lbによって接続されている。少なくとも2つの出口点とは、少なくとも1つの分析出口80SSMおよび少なくとも1つの粒子収集器75SSMである。分析出口80PSMにより、製造されたナノ粒子を収集して分析することができ、最適な製造パラメータの決定が可能になる。少なくとも1つの粒子収集器75SSMにより、製造されたナノ粒子が分析装置70SSMにて首尾よく特性決定された後に、製造されたナノ粒子の収集を行うことが容易となる。]
[0050] シェル構造モジュール25は装置10にあってもなくてもよい。シェル構造モジュール25があって、かつ装置10がコア−シェルナノ粒子の製造用ではない場合、本発明のこの態様においては、シェル構造モジュール25は利用されない。]
[0051] 本発明のさらなる態様によると、粒子単離モジュール30が、粒子収集器75に接続可能である。粒子単離モジュール30は、本発明に従って製造されたナノ粒子を単離するために用いられる。]
[0052] 粒子単離モジュール30は、チューブ35naを介して粒子合成モジュール20の粒子収集器75PSMに接続されていてもよい。この場合、粒子単離モジュール30は、製造されたシェルを含まないナノ粒子を単離するために用いられる。]
[0053] 本発明のさらなる態様において、粒子単離モジュール30は、チューブ35naを介してシェル構造モジュール25の粒子収集器75SSMに接続されていてもよい。この場合、粒子単離モジュール30は、製造されたシェルを含むナノ粒子(すなわちコア−シェルナノ粒子)を単離するために用いられる。]
[0054] 上記のような粒子単離モジュール30は、チューブ35naによって粒子収集器75に接続可能である。粒子単離モジュールのチューブ35naは、粒子単離室内にある核生成室60PIMに接続されている。溶媒モジュール30も粒子単離モジュールの一部であり、これは、チューブ35mによって、粒子単離モジュール30内にあるポンプ50dに接続されている。ポンプ50dは、チューブ35nbによって核生成室60PIMに接続されている。核生成室60PIMは、フロー遠心分離機85PIMに接続されている。]
[0055] 本発明に従って製造されたナノ粒子は、粒子単離モジュール30を用いて、溶媒、過剰の配位子、およびいかなる未反応の前駆体試薬からも単離される。ポンプ50dは、溶媒(例えばエタノール)を送液するために用いられ、核生成室60PIMの他方の入口に接続されている。核生成室60PIMの出口は、連続フロー遠心分離機に接続されており、製造されたナノ粒子はそこで液相から分離される。製造されたナノ粒子は、製造されたナノ粒子をクロロホルムまたはトルエンなどの溶媒で再溶解させることにより得られる。]
[0056] 本発明の各態様においては、ナノ粒子の製造完了後、装置10を溶媒調製モジュール15からの溶媒で洗い流して、装置10を清潔にし、次の製造プロセスに使用できるようにする。]
[0057] ここで、図2に関して、方法を説明する。図2は、装置10を用いたナノ粒子の製造方法のフローチャートを表す。] 図2
[0058] 本方法200は、最初に、工程205において、装置10内のチューブ35のすべてを介して装置10を洗い流すことを含む。その後、工程210のように、少なくとも2種の粒子前駆体の溶液が調製され、前駆体源30a〜c内に置かれる。少なくとも2種の粒子前駆体の溶液は、ナノ粒子調製用溶媒中に粒子前駆体を溶解させることにより調製される。装置10がコア−シェルナノ粒子の製造に用いられる場合は、粒子前駆体の少なくとも1種は、以前に製造されたナノ粒子であり、少なくとも1つの他の粒子前駆体の溶液は、予め調製されて少なくとも1つの粒子前駆体源30a内に置かれたシェル種を含む。]
[0059] ほとんどの場合、粒子前駆体の溶液の調製に用いられる溶媒は、スクアレンである。さらに、この溶媒は、TOP(トリオクチルホスフィン)およびTOPO(トリオクチルホスフィンオキシド)などの配位安定剤の形態であってもよい。]
[0060] ナノ粒子の製造に際してスクアレンを用いる利点は、スクアレンの融点が低く沸点が高いことである。したがって、スクアレンは、広い温度範囲にわたって液体であり、広い温度範囲にわたってナノ粒子の製造に適した溶媒である。]
[0061] 少なくとも2種の粒子前駆体の溶液がいったん調製されると、該少なくとも2種の粒子前駆体の溶液は、少なくとも2つの脱気装置ユニット40bおよび40cによって別々に脱気される(工程215)。工程215は、少なくとも2種の粒子前駆体の溶液が、いかなる溶解気体および大気をも含有しないことを確実にする。溶解気体および大気は、不要な副反応を起こさせる、および/または、製造されたナノ粒子を汚染する可能性のあるものである。いかなる溶解気体および大気をも含有しないことを確実にすることは、製造されたナノ粒子が不要な副反応によって汚染されないことを確実にする。]
[0062] 脱気された複数の粒子前駆体の溶液は、次いで、工程220において、ポンプ50bおよび50cによってチューブ35cbおよび35ccを介して、粒子合成装置10中を個別にかつほぼ同時に送液される。工程220における複数の粒子前駆体の溶液の同時送液が始まると、これらの溶液は、初めに粒子合成モジュール20へ送液される。]
[0063] 粒子合成モジュール20において、少なくとも2種の粒子前駆体の溶液は、工程225のように、少なくとも2つの予熱室55PSMaおよび55PSMb内で、独立して、かつほぼ同時に予熱される。少なくとも2つの予熱室55PSMaおよび55PSMbの温度は、製造されるナノ粒子の核生成温度に予め設定される。]
[0064] 装置10がナノ粒子の製造に使用される本発明のさらなる態様においては、少なくとも2つの予熱室55PSMaおよび55PSMbは、粒子前駆体の溶液を予熱してもしなくてもよい。]
[0065] 2種の別個の予熱された粒子前駆体の溶液は、次いで、チューブ35daおよび35dbを介して核生成室60PSMへ別々に送液され、そこで、工程230のように、2種の溶液が混合し、核生成が起こる。]
[0066] 核生成室60PSM内での核生成後、核生成したナノ粒子の溶液は、チューブ35eを介して成長室65PSMへ送液され、そこで、工程235のように、製造されたナノ粒子の成長が起こる。成長室65PSMの温度は、核生成室60PSMの温度よりも低い温度に予め設定される。成長室65PSMの温度がより低いことにより、製造されるナノ粒子を均一な速度で成長させることが可能となり、製造されたナノ粒子は実質的に均一のサイズに達することができる。]
[0067] 製造されたナノ粒子は、次いで、工程240のように、分析装置70PSMにて収集されることにより、その場(in-situ)で分析される。]
[0068] ナノ粒子がいったん所望のサイズに成長すると、アルコールなどの極性有機溶媒の添加によって誘発される沈殿により、工程245のように、溶液からナノ粒子が収集される。所望のナノ粒子を溶液から沈殿させた後、所望のナノ粒子を得るために溶液を遠心分離にかけてもよい。遠心分離は、上記のように粒子単離モジュール30を出口75PSMに接続することにより達成される。]
[0069] 装置10がコア−シェルナノ粒子の製造に使用される本発明のさらなる態様においては、前述のように、コア−シェルモジュール25であるさらなるモジュールが、粒子合成モジュール20に取り付けられる。コア−シェルナノ粒子の製造方法において、該方法は、ナノ粒子の製造に関して図2に示すとともに上記で説明したような方法を同様にとる。] 図2
[0070] 装置10がコア−シェルナノ粒子の製造に使用される本発明のこの態様においては、少なくとも2種の別個の粒子前駆体の溶液が存在する。粒子前駆体の溶液のうちの少なくとも1種は、先の製造方法から製造されたナノ粒子の溶液であり、少なくとも1種の他の溶液は、シェル成分の粒子前駆体の溶液である。]
[0071] コア−シェルナノ粒子の製造方法における相違点は、先の製造方法からのナノ粒子がいったん製造された後で、これらの製造されたナノ粒子が、工程245のように溶液から収集されないということである。シェル成分の粒子前駆体溶液は、工程210のように調製され、チューブ35ba,35caを介してシェル合成モジュール25へ送液される。]
[0072] コア−シェルナノ粒子の製造における粒子前駆体の溶液は、工程225のように、シェル構造モジュール25の予熱室55SSM内で独立して予熱される。工程225〜255は、非コアシェルナノ粒子の製造について説明したのと同様に続けられる。しかしながら、コアの粒子溶液は、予熱すると望ましくないコア反応を生じさせることになるので、予熱してはならない。]
[0073] 本発明のなおさらなる態様において、装置10は、コア−シェル−シェルナノ粒子の製造に使用される。コア−シェル−シェルナノ粒子の製造方法は、コア−シェル粒子の製造方法とほぼ同様である。]
[0074] 本発明のこの態様においては、少なくとも2種の別個の粒子前駆体の溶液が存在する。ただし、これらの溶液のうち少なくとも1種は、先の製造方法から製造されたコア−シェルナノ粒子の溶液であり、少なくとも1種の他の溶液は、溶媒調製モジュール25で調製されたシェル成分の粒子前駆体の溶液である。]
[0075] コア−シェル−シェルナノ粒子の製造方法に関する本発明のさらなる態様においては、先の製造方法からのナノ粒子がいったん製造された後で、これらの製造されたナノ粒子は、工程245のように溶液から収集されない。また、シェル成分の粒子前駆体溶液が工程210で調製され、この溶液もやはり工程215のように脱気される。]
[0076] 2種の別個の粒子前駆体の溶液は、次いで、独立して送液220され、粒子前駆体の溶液のうち少なくとも1種が、第2のシェル構造モジュール25(図示せず)の1つの予熱室内で予熱225され得る。工程225〜255は、コア−シェルナノ粒子の製造について説明したのと同様に続けられ、製造されたコア−シェル−シェルナノ粒子を得る。]
[0077] 製造されたナノ粒子が工程245のように収集される本発明の態様においては、装置10は、工程250のように清掃される。清掃工程250は、装置10全体を純溶媒で洗い流すことを含む。純溶媒とは、ナノ粒子の製造の際に用いられるものと同じ溶媒である。装置10の洗い流しは、純溶媒を、装置を通して溶媒調製モジュール15から収集点75および/または分析出口80まで送液することによって行われる。装置10は、その後、放冷される。]
[0078] 実施例
以下の実施例は、本発明の種々の態様を実証するものであるが、本発明を限定するわけではない。]
[0079] 〔実施例1−CdSeナノ粒子の調製〕
Cd粒子前駆体溶液の調製。酢酸カドミウム1.15gをスクアレン45mlおよび安定剤オレイン酸3.5mlと室温で混合し、さらに、安定剤オレイルアミン20mlを加えた。得られた懸濁液を排気し、窒素ガスでパージした。次いで、懸濁液を150℃まで加熱して不透明淡黄色の溶液を形成した。次に、この溶液を減圧下にて100℃で2時間脱気した後、室温まで放冷した。その後、混合物を排気し、窒素ガス不活性雰囲気下にて保持した。]
[0080] Se粒子前駆体溶液の調製。室温のグローブボックス内で、セレン2.0gをトリオクチルホスフィン17ml中に溶解させた。この溶液にスクアレン53mlを加えた。得られた溶液を不活性雰囲気中にて保存した。]
[0081] CdSeナノ粒子の調製。溶媒調製モジュール15内で、カドミウム溶液およびセレン溶液を2つのポンプに接続し、吸引した。核生成室60の温度は、目的の核生成温度に設定される。成長室65の温度は、成長温度に設定され、予熱室55の温度は、核生成温度に設定される。その後、粒子前駆体が装置10内部に滞留し、かつ混合比が目的のパラメータ値に対応するように、ポンプ50の流量が設定される。滞留時間とは、粒子前駆体の混合物が核生成室60に入って成長室65から出るのに要する時間である。滞留時間の2倍経過後、製造されたナノ粒子の光学的性質を測定することができる。目的のパラメータ値とは、ナノ粒子の製造のための最適条件を提供する流量および温度の値であり、試行実験から決定されたものである。]
[0082] 製造終了後、装置10は、純溶媒で洗い流され、放冷される。]
[0083] 〔実施例2−NiPtナノ粒子の調製〕
Ni粒子前駆体溶液の調製。酢酸ニッケル0.84gと1,2−ヘキサデカンジオール0.90gとをスクアレン192mlおよび安定剤オレイン酸4.0ml中に溶解し、オレイルアミン4.0mlを(注入により)加えた。混合物を80℃で3時間加熱して不透明青緑色の溶液を形成した。次いで、この溶液を排気し、窒素ガス不活性雰囲気中にてパージした。]
[0084] Pt粒子前駆体溶液の調製。白金(II)アセチルアセトネート1.26g、1,2ジクロロベンゾール80mlおよび安定剤スクアレン120mlの混合物を50℃まで加熱した。得られた溶液を窒素雰囲気下にて保存した。]
[0085] NiPtナノ粒子の調製。溶媒調製モジュール15内で、ニッケル粒子前駆体溶液および白金粒子前駆体溶液を2つのポンプに接続し、吸引した。核生成室60の温度は、目的の核生成温度に設定される。成長室65の温度は、成長温度に設定され、予熱室55の温度は、核生成温度に予め設定される。その後、粒子前駆体が装置10内部に滞留し、かつ混合比が目的のパラメータ値に対応するように、ポンプ50の流量が設定される。滞留時間とは、粒子前駆体の混合物が核生成室60に入って成長室65から出るのに要する時間である。滞留時間の2倍経過後、製造されたナノ粒子の光学的性質を測定することができる。目的のパラメータ値とは、ナノ粒子の製造のための最適条件を提供する流量および温度の値であり、試行実験から決定されたものである。]
[0086] ナノ粒子の製造終了後、反応器は、純溶媒で洗い流され、放冷される。]
[0087] 〔実施例3−PbTeナノ粒子の調製〕
Pb粒子前駆体溶液の調製。酢酸鉛24.3gをスクアレン320mlおよび安定剤オレイン酸64ml中に溶解し、オレイルアミン16mlを(注入により)加えた。混合物を80℃で3時間加熱して黄色がかった溶液を形成した。次いで、この溶液を排気し、窒素不活性雰囲気中にて保存した。]
[0088] Te粒子前駆体溶液の調製。テルル4.78gを、トリオクチルホスフィン150mlおよびスクアレン250mlと混合した。得られた混合物を250℃まで加熱した。得られた溶液を窒素雰囲気下にて保存した。]
[0089] PbTeナノ粒子の調製。溶媒調製モジュール15内で、鉛粒子前駆体溶液およびテルル粒子前駆体溶液を2つのポンプに接続し、吸引した。核生成室60の温度を、目的の核生成温度に設定した。成長室65の温度を、成長温度に設定し、予熱室55の温度を、核生成温度に設定した。その後、粒子前駆体が装置内部に滞留し、かつ混合比が目的のパラメータ値に対応するように、ポンプ50の流量が設定された。滞留時間とは、粒子前駆体の混合物が核生成室60に入って成長室65から出るのに要する時間である。目的のパラメータ値とは、ナノ粒子の製造のための最適条件を提供する流量および温度の値であり、試行実験から決定されたものである。]
[0090] 滞留時間の2倍経過後、製造されたナノ粒子の光学的性質を測定することができる。]
[0091] ナノ粒子の製造終了後、装置10は、純溶媒で洗い流され、放冷される。]
[0092] 〔実施例4−CdSe−CdSコア−シェルナノ粒子の調製〕
CdS粒子前駆体溶液の調製。酢酸カドミウム432mgをトリオクチルホスフィン15ml中に室温で溶解した。続いて、トリメチルシリルスルフィドを1.1ml加え、その後、スクアレンを150ml加えた。溶液は清澄で黄色のままであった。この溶液は、CdS粒子前駆体溶液であり、シェル前駆体として用いることができる。]
[0093] CdSeナノ粒子の調製は、上記実施例1で説明したのと同様に行った。]
[0094] CdSe−CdSコア−シェルナノ粒子の調製。シェル構造モジュール25の核生成室60SSMの温度および成長室65SSMの温度は、同じ温度に設定される。この場合、同じ温度にするのは、成長を促進し、かつ核生成を回避するためである。予熱室55SSMの温度は、CdSコア粒子の形成を回避するために室温のままである。その後、粒子前駆体が装置内部に滞留し、かつ混合比が目的のパラメータ値に対応するように、ポンプ50の流量を設定した。滞留時間とは、粒子前駆体の混合物が核生成室60に入って成長室65から出るのに要する時間である。目的のパラメータ値とは、ナノ粒子の製造のための最適条件を提供する流量および温度の値であり、試行実験から決定されたものである。]
[0095] ナノ粒子の製造終了後、装置10は、純溶媒で洗い流され、放冷される。]
[0096] 〔実施例5−CdTeナノ粒子の調製〕
Cd粒子前駆体溶液の調製。酢酸カドミウム3.92gおよびテトラデシルホスホン酸7.65gを、トリオクチルホスフィン100mlおよびオクタデセン443mLと混合した。次いで、得られた混合物を250℃まで加熱した。得られた溶液を窒素雰囲気下にて保存した。]
[0097] Te粒子前駆体溶液の調製。テルル2.55gを、トリオクチルホスフィン100mlおよびオクタデセン150mlと混合した。次いで、得られた混合物を250℃まで加熱した。得られた溶液を窒素雰囲気下にて保存した。]
[0098] CdTeナノ粒子の調製。溶媒調製モジュール15内で、カドミウム粒子前駆体溶液とテルル粒子前駆体溶液とを別個のポンプに接続し、吸引した。核生成室60の温度は、目的の核生成温度に設定される。成長室65の温度は、成長温度に設定され、予熱室55の温度は、核生成温度に設定される。その後、粒子前駆体が装置10内部に滞留し、かつ混合比が目的のパラメータ値に対応するように、ポンプ50の流量が設定される。滞留時間とは、粒子前駆体の混合物が核生成室60に入って成長室65を出るのに要する時間である。滞留時間の2倍経過後、製造されたナノ粒子の光学的性質を測定することができる。目的のパラメータ値とは、ナノ粒子の製造のための最適条件を提供する流量および温度の値であり、試行実験から決定されたものである。]
[0099] このように本発明について詳細に説明したが、上記の発明の詳細な説明は、本発明の範囲を限定するものではないものと理解すべきである。特許証による保護を望むものは、下記特許請求の範囲に記載したものである。]
[0100] 10ナノ粒子を製造するための装置
15溶媒調製モジュール
20粒子合成モジュール
25シェル構造モジュール
30粒子単離モジュール
30a〜c前駆体源
35チューブ
40a〜c脱気装置ユニット
45a〜c 溶媒オーガナイザユニット
50a〜dポンプ
55予熱室
60核生成室
65成長室
70分析装置
75粒子収集器
80分析出口
85フロー遠心分離機
200 ナノ粒子を製造するための方法
205 装置を洗い流す
210粒子前駆体の溶液の調製
215 粒子前駆体の溶液を脱気
220 送液
230 ナノ粒子の核生成
235 ナノ粒子の成長
240 ナノ粒子の分析
245 製造されたナノ粒子の収集]
权利要求:

請求項1
粒子を製造する(255)ための装置(10)であって、少なくとも1つの溶媒調製モジュール(15)と、少なくとも3つの独立して加熱可能な室(55,60,65)を有する少なくとも1つの粒子合成モジュール(20)とを含み、前記少なくとも1つの溶媒調製モジュール(15)が、前記少なくとも1つの粒子合成モジュール(20)に直列に接続されている装置(10)。
請求項2
前記粒子合成モジュール(20)の少なくとも3つの独立して加熱可能な室(55,60,65)が、少なくとも2種の別個の粒子前駆体の溶液を個別にかつ実質的に同時に予熱する(225)ための予熱室(55)と、前記少なくとも2種の別個の粒子前駆体の溶液を混合し(230)、前記少なくとも2種の粒子前駆体を核生成させるための核生成室(60)と、前記粒子を成長させる(235)ための成長室(65)とを含む請求項1に記載の装置(10)。
請求項3
前記予熱室(55)が、1つ以上2つ以下の予熱室を含む請求項2に記載の装置(10)。
請求項4
前記溶媒調製モジュール(15)のうちの少なくとも1つが、前駆体源(30)に接続されている請求項1から3のいずれか一項に記載の装置(10)。
請求項5
前記溶媒調製モジュール(15)が、少なくとも1つの脱気装置ユニット(40)と、少なくとも1つの溶媒オーガナイザユニット(45)とを含む請求項1から4のいずれか一項に記載の装置(10)。
請求項6
前記少なくとも1つの脱気装置ユニット(40)および/または前記少なくとも1つの溶媒オーガナイザユニット(45)が、前記前駆体源(30)のうちの少なくとも1つに接続されている請求項4に記載の装置(10)。
請求項7
前記成長室(65)に接続された分析装置(70)をさらに含む請求項2から6のいずれか一項に記載の装置(10)。
請求項8
コア−シェル粒子を合成するための少なくとも1つのシェル構造モジュール(25)をさらに含み、前記シェル構造モジュール(25)が、前記少なくとも1つの粒子合成モジュール(20)に接続されている請求項1から7のいずれか一項に記載の装置(10)。
請求項9
前記少なくとも1つのシェル構造モジュール(25)が、前記溶媒調製モジュール(15)の複数の脱気装置ユニット(40)のうちの少なくとも1つに接続され、かつ複数の溶媒オーガナイザユニット(45)のうちの少なくとも1つに接続された少なくとも1つの予熱室(55)と、前記成長室に接続され、かつ分析装置(70)に接続された核生成室(60)とを含み、前記分析装置(70)が、粒子収集器(75)と分析出口(80)とに接続されている請求項8に記載の装置(10)。
請求項10
コア−シェル−シェル粒子の製造のために、前記少なくとも1つの第1のシェル構造モジュール(25)に接続された少なくとも第2のシェル構造モジュール(25)をさらに含む請求項8に記載の装置(10)。
請求項11
前記装置(10)を通る前記粒子前駆体の溶液の流量を制御するために前記少なくとも1つの脱気装置ユニット(40)と前記少なくとも1つの溶媒オーガナイザユニット(45)との間に接続された少なくとも1つのポンプ(50)をさらに含む請求項1から10のいずれか一項に記載の装置(10)。
請求項12
前記少なくとも1つのポンプ(50)が、不活性材料からなる請求項11に記載の装置(10)。
請求項13
前記分析装置(70)が、吸収−発光分光計と、X線結晶構造解析装置と、光散乱測定装置と、NMR分光計とからなる群のうちの少なくとも1つを含む請求項1から12のいずれか一項に記載の装置(10)。
請求項14
前記粒子の製造に用いられる粒子反応物に対して不活性である請求項1から13のいずれか一項に記載の装置(10)。
請求項15
製造されたナノ粒子をその場で収集し分析するための分析出口(80)をさらに含む請求項1から14のいずれか一項に記載の装置(10)。
請求項16
前記分析出口(80)が、前記分析装置(70)に接続されている請求項13に記載の装置(10)。
請求項17
前記製造された粒子を収集するための粒子収集器(75)をさらに含む請求項1から16のいずれか一項に記載の装置(10)。
請求項18
前記粒子収集器(75)が、前記少なくとも1つの分析装置(70)に接続されている請求項15に記載の装置(10)。
請求項19
前記粒子収集器(75)が、前記少なくとも1つの粒子合成モジュール(20)と前記シェル構造モジュール(25)との間に接続されている請求項16に記載の装置(10)。
請求項20
粒子単離モジュール(30)をさらに含む請求項1から19のいずれか一項に記載の装置(10)。
請求項21
前記粒子単離モジュールが、前記製造されたナノ粒子を単離するためのフロー遠心分離機を含む請求項20に記載の装置(10)。
請求項22
ナノ粒子の連続製造のための装置である請求項1から21のいずれか一項に記載の装置(10)。
請求項23
ナノ粒子を製造するための方法(200)であって、前記装置10を洗い流す工程(205)と、少なくとも2種の粒子前駆体の溶液を調製する工程(210)と、前記少なくとも2種の粒子前駆体の溶液を、少なくとも前記粒子の核生成温度である第1の温度で、別々にかつ実質的に同時に予熱する工程(225)と、前記少なくとも2種の粒子前駆体の溶液を前記第1の温度と実質的に同じである第2の温度で混合する(230)ことで、前記ナノ粒子を形成する(255)工程と、前記粒子を前記第1の温度未満の第3の温度で成長させる工程(235)とを含む方法。
請求項24
前記少なくとも2種の粒子前駆体の溶液を脱気する工程(215)を含む請求項23に記載の方法。
請求項25
前記少なくとも2種の粒子前駆体の溶液のうちの少なくとも1種の調製にスクアレンが用いられる請求項23から24のいずれか一項に記載の方法。
請求項26
コア−シェル粒子を製造するための方法であって、少なくとも1種の前記粒子の溶液と、少なくとも1種のシェル粒子前駆体の溶液とを準備する請求項23から25のいずれか一項に記載の方法。
請求項27
コア−シェル粒子の製造開始前に前記装置が溶媒で洗浄される請求項23から26のいずれか一項に記載の方法。
請求項28
前記粒子前駆体の溶液のうちの1種が、Pb、Cd、NiまたはPtからなる群から選択される酢酸塩である請求項23から27のいずれか一項に記載の方法。
請求項29
前記粒子前駆体の溶液のうちの1種が、TeまたはSeの元素溶液から選択される請求項23から28のいずれか一項に記載の方法。
請求項30
前記粒子前駆体の溶液のうちの1種が、前記ナノ粒子の溶液である請求項23から29のいずれか一項に記載の方法。
請求項31
前記製造されたナノ粒子が遠心分離機によって単離される請求項23から30のいずれか一項に記載の方法。
請求項32
ナノ粒子の連続製造のための方法である請求項23から31のいずれか一項に記載の方法。
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EP2254695B1|2019-05-01|
EP2254695A1|2010-12-01|
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JP2007537886A|2004-04-30|2007-12-27|ナノコテクノロジーズリミテッドNanocoTechnologiesLimited|ナノ粒子材料の作製|
JP2007069162A|2005-09-08|2007-03-22|National Institute Of Advanced Industrial & Technology|ナノ粒子の製造方法|
JP2007204354A|2005-09-22|2007-08-16|Sony Corp|金属酸化物ナノ粒子及びその製造方法、並びに、発光素子組立体及び光学材料|
JP2010510056A|2006-11-21|2010-04-02|バイエル・テクノロジー・サービシーズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングBayerTechnologyServicesGmbH|ナノサイズ金属含有ナノ粒子およびナノ粒子分散体の合成方法|
JP2008168197A|2007-01-10|2008-07-24|Kao Corp|有機化合物微粒子の製造方法|
JP2009013353A|2007-07-06|2009-01-22|Mitsubishi Kakoki Kaisha Ltd|機能性樹脂粉体の製造システム及び機能性樹脂粉体の製造方法|KR101247968B1|2011-06-17|2013-04-03|충남대학교산학협력단|나노입자 코팅장치, 그를 이용한 코어-쉘 나노입자의 제조방법 및 코팅두께 측정방법|
WO2013128592A1|2012-02-29|2013-09-06|エム・テクニック株式会社|微粒子の製造方法|
KR101364225B1|2012-12-10|2014-02-17|충남대학교산학협력단|상온 상압에서의 전자빔 조사를 이용한 기체상 중공 나노입자의 제조장치 및 제조방법|
JP2017502526A|2013-10-04|2017-01-19|キング アブドゥラー ユニバーシティ オブ サイエンス アンド テクノロジー|System and Method for Producing Quantum Dots <Priority Claim from Related Applications> This application was filed on Oct. 4, 2013, application number 61 / 886,837, “To make quantum dots” And claims priority from a co-pending US provisional application entitled “Systems and Methods”, which is incorporated herein by reference in its entirety. This application claims priority from a co-pending US provisional application filed Oct. 14, 2013 and having an application number of 61 / 890,536 entitled “Systems and Methods for Making Quantum Dots”. All of which are hereby incorporated by reference in their entirety. This application is filed with priority from a co-pending US provisional application filed July 15, 2014, filed 62 / 024,490 entitled "Systems and Methods for Making Quantum Dots". All of which are hereby incorporated by reference in their entirety.|
JP2017171927A|2013-03-15|2017-09-28|ナノコ テクノロジーズ リミテッド|Iii−v族/カルコゲン化亜鉛合金半導体量子ドット|US6179912B1|1999-12-20|2001-01-30|Biocrystal Ltd.|Continuous flow process for production of semiconductor nanocrystals|
US6576291B2|2000-12-08|2003-06-10|Massachusetts Institute Of Technology|Preparation of nanocrystallites|
US20020083888A1|2000-12-28|2002-07-04|Zehnder Donald A.|Flow synthesis of quantum dot nanocrystals|
US20050129580A1|2003-02-26|2005-06-16|Swinehart Philip R.|Microfluidic chemical reactor for the manufacture of chemically-produced nanoparticles|
US7229497B2|2003-08-26|2007-06-12|Massachusetts Institute Of Technology|Method of preparing nanocrystals|
CA2491144C|2003-12-30|2013-06-11|National Research Council Of Canada|Method of synthesizing colloidal nanocrystals|
US8454927B2|2004-08-04|2013-06-04|Crystalplex Corporation|Alloyed semiconductor nanocrystals|
DE112006001067T5|2005-04-25|2008-03-13|Board Of Trustees Of The University Of Arkansas|Dotierte Halbleiter-Nanokristalle und Verfahren zu deren Herstellung|
GB2472542B|2005-08-12|2011-03-23|Nanoco Technologies Ltd|Nanoparticles|
DE102006021438A1|2006-05-09|2007-11-15|Cognis Ip Management Gmbh|Process for the ozonolysis of unsaturated compounds|
CN1912048A|2006-08-07|2007-02-14|华中科技大学|InP量子点的制备方法|JP5333069B2|2009-09-01|2013-11-06|株式会社村田製作所|化合物半導体微粒子の製造方法|
KR101295672B1|2012-03-19|2013-08-14|충남대학교산학협력단|상온 상압에서의 전자빔 조사를 이용한 기체상 중공 나노입자의 제조장치 및 제조방법|
KR101401531B1|2012-04-05|2014-06-03|충남대학교산학협력단|비금속 주형 입자를 이용한 기체상 중공 나노입자의 제조장치 및 제조방법|
DE102012215421B4|2012-08-30|2019-08-29|Centrum Für Angewandte NanotechnologieGmbh|Verfahren zur Herstellung von Kern/Schale-Nanopartikeln|
KR101362823B1|2012-12-10|2014-02-14|충남대학교산학협력단|상온 상압에서의 전자빔 조사를 이용한 기체상 코어-쉘 나노입자의 제조장치 및 제조방법|
KR101363588B1|2012-12-10|2014-02-14|충남대학교산학협력단|비금속 주형 입자를 이용한 기체상 중공 나노입자의 제조장치 및 제조방법|
KR101401532B1|2013-01-11|2014-06-03|충남대학교산학협력단|중공 나노입자의 형상 제어장치 및 제어방법|
KR20170047894A|2015-10-26|2017-05-08|한국식품연구원|입자합성 및 표면개질이 가능한 모듈장치|
US10369538B2|2015-12-31|2019-08-06|Kuantag Nanoteknolojiler Gelistirme Ve Uretim A.S.|Flow system and process for photoluminescent nanoparticle production|
US10815424B2|2015-12-31|2020-10-27|Kuantag Nanoteknolojiler Gelistirme Ve Uretim A.S.|One-step process for synthesis of core shell nanocrystals|
KR101799479B1|2016-07-18|2017-12-20|한국생산기술연구원|양자점 제조 장치 및 이에 의하여 제조되는 비구형 양자점|
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